IKW30N60H3FKSA1 Описание

IKW30N60H3FKSA1 - это High-speed DuoPack: IGBT в технологии Trench и Fieldstop с мягким, быстрым восстановлением антипараллельного диода. BJT и MOSFET объединены для формирования IGBT или изолированного транзистора с полевым управлением. Его название также указывает на их союз. Термин "Insulated Gate" описывает очень высокий входной импеданс MOSFET. Он зависит от напряжения на его терминале gate для работы, а не от тока входного. Когда в BJT описывается "bipolar", это означает, что оба типа зарядовых носителей участвуют в потоке тока. Это позволяет ему работать с очень высокими токами и напряжениями, используя низкие сигналы напряжения. IGBT является напряжением-управляемым устройством в результате этого гибридного расположения.

IKW30N60H3FKSA1 Характеристики

Максимальная температура соединения 175°C
Квалифицирован по JEDEC для целей применения
Плавкая пайка без свинца; соответствует требованиям RoHS
Очень низкое VCEsat
Низкий EMI
Очень мягкое