Описание продукта

DTC114YETL - высокопроизводительный транзистор NPN с электронной связью (BJT) от ROHM Semiconductor, предназначенный для поверхностного монтажа с встроенным резистором смещения со співношением 4,7. Это транзистор с предустановленным смещением, подходящий для широкого спектра приложений, включая переключательные и усилительные схемы.

Характеристики

Пре-байазированный транзистор NPN с встроенным резистором смещения

Мощность dissipation: 150мВт

Максимальная температура плавления: 260°C

Номинальное напряжение питания: 50В

Максимальная температура эксплуатации: 150°C

Максимальный коллекторный ток: 70мА

Максимальный выходной ток: 100мА

Максимальное напряжение разрушения: 50В

Частота перехода: 250МГц

Коэффициент усиления DC (hFE): 68 (мин) @ 5мА, 5В

Применения

Основные приложения:
- Переключательные схемы
- Усилительные схемы

Вторичные приложения:
- Усилители мощности
- Переключательные регуляторы
- Драйверные схемы

Альтернативные части

DTC114 (основное наименование)

Встроенные модули

Этот транзистор используется в различных встроенных модулях, включая:
- Усилители мощности
- Переключательные регуляторы
- Драйверные схемы

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

Q: Какова мощность dissipation DTC114YETL?
A: Мощность dissipation составляет 150мВт.

Q: Какова максимальная температура эксплуатации DTC114YETL?
A: Максимальная температура эксплуатации составляет 150°C.

Q: Какова максимальная коллекторная сила DTC114YETL?
A: Максимальная коллекторная сила составляет 70мА.

Q: Является ли DTC114YETL радиационно-устойчивым?
A: Нет, DTC114YETL не является радиационно-устойчивым.

Q: Какова частота перехода DTC114YETL?
A: Частота перехода составляет 250МГц.

Q: Какова DC-напряжение (hFE) DTC114YETL?
A: DC-напряжение (hFE) составляет 68 (мин) @ 5мА, 5В.